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亚博APP手机版_14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件和NAND的影响

2021年1月22日 - 科技

本文摘要:最近小编在清除业务流程讨论会上公布发布了演讲。

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最近小编在清除业务流程讨论会上公布发布了演讲。不是我一名清除工艺权威专家,在演讲中解读更强的是生产制造工艺的发展趋向以及对清除的危害。

我将在本文中共享资源并更进一步争辩那一次演讲的內容,关键围绕DRAM、逻辑性元器件和NAND这三大顶尖商品。DRAM在DRAM章节目录的第一张ppt中,我按企业和年代展现出了DRAM工艺连接点的转变。美光科技、三星和SK海力士是DRAM销售市场的核心生产商,所以我以这三家企业为意味着展出了其分别的工艺连接点。

DRAM连接点规格现阶段是由元器件上超过的半间隔来界定的,美光DRAM根据字线,三星和SK海力士则根据积极晶体三极管。数据图表正下方在一定水平上展出了核心技术的发展趋势状况。左边展出了具有挖到字线的鞍形鳍片载入晶体三极管。

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具有挖到字线的鞍形鳍片是现阶段载入晶体三极管的规范。在中间和右下方,说明了DRAM电容器向更为关键点距-低正方形比构造的演变。

危害DRAM工艺减少的关键难题是电容。为了更好地可靠地储存数据信息,电容务必低于一定的阀值。

要以后生产制造出有闲置不用总面积更为小的电容,能够把电容保证得高些,薄膜更为厚,或是降低薄膜的K值。可是难题取决于,尽管从机械设备可靠性的视角还能够可靠地做出高些更为厚的电容,可是伴随着薄膜薄厚的降低,走电不容易降低,并且伴随着薄膜K值的降低,携带隙扩大也不会导致走电难题。

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当今的规范是用以较低走电的铝基金属氧化物薄膜和作为低k值的锆基薄膜组成的复合袋,并且现阶段还不准确否还不容易有更优的取代计划方案。在第五张和第六张ppt中,我解读了一些关键的DRAM工艺块,并争辩了DRAM工艺对清除和滑杂带的市场的需求。我还在DRAM章节目录最终一张ppt中展出了三星工艺连接点的清除频次。

能够显出,伴随着工艺规格的减少,DRAM清除频次也在降低,这关键是由于在沉醉于光刻技术流程后务必进行更为数次反面斜坡洗手消毒,并且更为简易的双层图案化计划方案也不会造成 数次清除。

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